Những thiệt hại của ESD đối với các thiết bị điện tử
ESD gây hại cho thiết bị điện tử ESD làm hỏng thiết bị điện tử, bất kể ESD phóng điện trực tiếp vào thiết bị điện tử hay phóng điện gián tiếp cho thiết bị điện tử, thiết bị điện tử đều có thể bị hỏng. Nó không chỉ có thể gây ra lỗi đột ngột cho chức năng của thiết bị mà còn có thể gây ra khả năng bị hỏng chức năng của thiết bị.
1. Thất bại đột ngột
Lỗi đột ngột có nghĩa là khi thiết bị điện tử tiếp xúc với môi trường ESD, các thông số mạch có thể thay đổi đáng kể và chức năng của nó có thể bị mất. ESD có thể làm cho kim loại nóng chảy và gây ra hiện tượng đoản mạch hoặc đánh thủng lớp cách điện, v.v., gây hư hỏng vĩnh viễn cho mạch điện của thiết bị. Những hư hỏng như vậy có thể được phát hiện trong quá trình kiểm tra thành phẩm trước khi xuất xưởng. Theo thống kê liên quan, trong số các thiết bị điện tử hư hỏng do tĩnh điện, hỏng hóc đột ngột chiếm khoảng 10% tổng số hỏng hóc.
Trường tĩnh điện mạnh sẽ làm cho lớp ôxít cổng của thiết bị hiệu ứng trường MOS bị phá vỡ và gây hỏng thiết bị. Nói chung, độ dày màng oxit cổng của các thiết bị MOS theo thứ tự 1 (T7 m). Khi thiết kế mạch điện không có biện pháp bảo vệ, ngay cả một lớp oxit chất lượng cao dày đặc và không có lỗ kim cũng sẽ bị phá vỡ dưới điện áp tĩnh điện 100 V. Đối với mạch điện có biện pháp bảo vệ, mặc dù điện áp đánh thủng có thể cao hơn 100 V, hiệu điện thế của các nguồn tĩnh điện nguy hiểm có thể là vài nghìn vôn, thậm chí hàng chục nghìn vôn. Do đó, hiệu ứng đánh thủng của trường tĩnh điện cao áp vẫn là mối nguy hiểm lớn đối với mạch MOS. Ngoài ra, trường tĩnh điện cao áp cũng có thể gây ra hiện tượng đánh thủng điện môi giữa các mạch dây nhiều lớp hoặc đánh thủng điện môi giữa các dây được mạ kim loại, gây ra hỏng mạch.
2. Khả năng thất bại
Lỗi tiềm ẩn có nghĩa là khi thiết bị tiếp xúc với môi trường ESD, nó có thể làm suy giảm một phần hiệu suất của thiết bị' nhưng tạm thời không ảnh hưởng đến chức năng thích hợp của thiết bị. Tuy nhiên, tuổi thọ sử dụng của thiết bị bị rút ngắn đi rất nhiều. Thiệt hại này là cộng dồn. Khi số lượng xung ESD trải qua tăng lên, ngưỡng điện áp phá hủy tĩnh điện của thiết bị sẽ giảm dần hoặc các thông số của thiết bị từ từ xấu đi. Theo thống kê, các hư hỏng tiềm ẩn chiếm 90% tổng số các hư hỏng của ESD trong các thiết bị điện tử. Do đó, việc các thiết bị điện tử tiềm ẩn nguy cơ gây hại nhiều hơn.