Tác động của ESD đến bao bì mô-đun thẻ IC
Mô-đun thẻ IC là cốt lõi của thẻ IC và là một dạng đóng gói mạch tích hợp. Quy trình sản xuất cơ bản của mô-đun thẻ IC rất giống với quy trình đóng gói mạch tích hợp thông thường, bao gồm liên kết khuôn, liên kết dây, đóng gói và thử nghiệm.
Các chip mạch tích hợp được đóng gói trong mô-đun thẻ IC thể hiện đỉnh cao của công nghệ thu nhỏ và tích hợp cao trong công nghệ mạch tích hợp. Do khoảng cách cấp độ micromet-giữa các thiết bị, tác động của ESD đặc biệt rõ rệt; một khi hiện tượng phóng tĩnh điện (ESD) gây ra sự cố thì hậu quả sẽ rất nghiêm trọng. Mặc dù các nhà thiết kế mạch có thể sử dụng các thiết bị bảo vệ cần thiết, nhưng sự tích tụ tĩnh điện trên thiết bị sản xuất, trong môi trường sản xuất và trên người vận hành vẫn có khả năng gây đoản mạch trên tấm bán dẫn silicon và trong quá trình đóng gói, làm hỏng hiệu suất của thiết bị và dẫn đến giảm năng suất.
